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FDP2670 |
TO-220-3 | Fairchild Semiconductor | 168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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FDP2670参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 200V 19A TO-220AB 包装数量：400 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：200V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：19A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：130 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1320pF @ 100V 功率 - 最大值：93W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 圆形GTC06AF-28-79P Card EdgeEB43-S0C5060X Card EdgeGBA24DTBH 螺絲釘，螺栓9352 圆形KPSE06B22-55P 高负载 - 外壳，1652990000 Card EdgeGBA18DRMS Card EdgeACC35DRAH PMIC - 电池MCP73828-4.1VUATR Card EdgeEBC18DCMI-S288 |
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